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PCF8566TS/1,118相关型号

  • MHT2000GNR1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 2450 MHz 25 W CW 28 V

  • MMRF1011HR5

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1011H/CFM2F///REEL 13

  • MRF8P20140WHR3

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4

  • MRF8P29300HSR6

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 300W 50V NI1230S

  • MRF8P20165WHR3

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780-4

  • MMRF1020-04GNR3

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V

  • MMRF2010NR1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF2010N/FM14F///REEL 13 Q2 DP

  • MMRF1009HR5

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V

NXP热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • PCF8566TS/1,118

  • 制造商：NXP USA Inc.
  • 批号：19+
  • 描述：IC DRVR 7 SEGMNT 12 DIGIT 40VSO
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 系列-
  • 零件状态停產
  • 显示类型LCD
  • 配置7 段 + DP，14 段（24 段）
  • 接口I²C
  • 数字或字符6 个字符，12 位数字，96 元件
  • 电流 - 电源30µA
  • 电压 - 电源2.5V ~ 6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳40-BSOP（0.295"，7.50mm 宽）
  • 供应商器件封装40-VSOP

其它信息

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