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KIT33882EKEVB相关型号

  • MRFE6VP8600HSR5

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V

  • MMRF1304NR1

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  • MRF6S20010GNR1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W

  • MRF8S9120NR3

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 120W OM780-2

  • MMRF1304LR5

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-2000MHz 25W 50V

  • MW6S010GNR1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W

  • MRFE6VP5600HR5

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H

  • MRF1513NT1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5

NXP热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • KIT33882EKEVB

  • 制造商：NXP USA Inc.
  • 批号：19+
  • 描述：EVAL KIT MC33882 SW SPI PAR INP
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • 类型电源管理
  • 功能配电开关（负载开关）
  • 嵌入式-
  • 使用的 IC/零件MC33882
  • 主要属性6 通道（六角形）
  • 所含物品板

其它信息

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