专注IC现货,您所值得信赖的IC供应商!欢迎联系我们获取IC报价,无最低订购数量、最快当天发 快速询价热线:0755-83590458

当前位置:  NXP恩智浦  >>  NXP相关型号  >>  KIT33887EKEVBE详细信息

KIT33887EKEVBE相关型号
  • AFT18S290-13SR3

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 1.8GHZ NI-880X-2L4S

  • A2T18S160W31SR3

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S160W31S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP

  • AFT18H356-24SR6

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF HIP NI1230-4L2L

  • AFT23H160-25SR3

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT23H160-25S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP

  • A2T18S162W31SR3

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S162W31S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP

  • AFV141KGSR5

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KGS/CFM4///REEL 13

  • AFT21S140W02SR3

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V

  • AFT26H200W03SR6

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.49-.69GHz

NXP热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • KIT33887EKEVBE

  • 制造商:NXP USA Inc.
  • 批号:19+
  • 描述:BOARD EVALUATION FOR MC33887
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

优势价格,KIT33887EKEVBE的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *姓名:
  • *电话:
  • Q Q:
  • *邮箱:

详细参数

  • 包装
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • 类型电源管理
  • 功能H 桥驱动器(内部 FET)
  • 嵌入式
  • 使用的 IC/零件MC33887
  • 主要属性5A 5 ~ 28V PWM 至 20kHz 有源电流限制
  • 所含物品

其它信息

一级代理商,大小批量出货,欢迎来询

NXP恩智浦的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用(制造工厂、大专院校、研究院所)为主要客户

我们一直持续专注
现货极具优势
无起订量限制
芯速度 芯未来
0755-83590458
13631560186
QQ询价
微信询价
真芯,细芯,更贴芯