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AFV141KHSR5
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KHS/CFM4F///REEL 13
A2T18S165-12SR3
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S165-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
AFT23S160W02SR3
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.3-4GHz 45W
A2T18S261W12NR3
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S261W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
AFT26P100-4WGSR3
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2496-2690 MHz 22 W Avg. 28 V
AFIC10275NR5
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFIC10275N/FM14F///REEL 13
AFT20P140-4WGNR3
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1880-2025 MHz 24 W Avg. 28 V
A2T14H450-23NR6
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T14H450-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
SC68376BGCAB25
32位微控制器 - MCU 32BIT MCU 8K ROM
SPC5644AF0MLU2
32位微控制器 - MCU 32BIT3MB Flsh192KRAM
SPC5606SF2VLQ6
32位微控制器 - MCU 32BIT 1M FL 48K RAM
SPC5643LFF2MLQ1
32位微控制器 - MCU 32B 1M FLASH 128KRAM
S912XHZ512F1VAG
16位微控制器 - MCU 16BIT 512 FLASH
SPC5607BF1VLU6
32位微控制器 - MCU SPC5607BF1VLU6/LQFP176///TRAY MULTIPLE DP BAKEABLE
SC68376BACAB20
S912ZVCA19F0MLF
16位微控制器 - MCU 32MHz -40/+125degC AutoQual QFP 48
图片仅供参考,请参考产品描述
优势价格,S912XEQ512F0CALR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
详细参数
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