专注IC现货，您所值得信赖的IC供应商！欢迎联系我们获取IC报价，无最低订购数量、最快当天发 快速询价热线：0755-83590458

当前位置:  NXP恩智浦  >>  NXP相关型号  >>  S912XDP512J1VAG详细信息

S912XDP512J1VAG相关型号

  • AFT27S010NT1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, .7-3.6GHz 1.26W

  • AFT05MS031GNR1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V

  • AFT05MP075GNR1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4G

  • AFT20S015GNR1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2G

  • AFT09MS007NT1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LANDMOBILE 7W PLD1.5W

  • AFT09MS015NT1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 136-941 MHz 16W 12.5V

  • AFT05MS006NT1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 136-941 MHz 6 W 7.5V

  • AFT09MS031GNR1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V

NXP热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • S912XDP512J1VAG

  • 制造商：NXP USA Inc.
  • 批号：19+
  • 描述：IC MCU 16BIT 512KB FLASH 144LQFP
  • PDF下载：
  • 库存数量：2000+

优势价格，S912XDP512J1VAG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • *姓名：
  • *电话：
  • Q Q：
  • *邮箱：

详细参数

  • 包装托盘
  • 系列HCS12X
  • 零件状态不適用於新設計
  • 核心处理器HCS12X
  • 核心尺寸16 位
  • 速度80MHz
  • 连接性CANbus，I²C，SCI，SPI
  • 外设LVD，POR，PWM，WDT
  • I/O 数119
  • 程序存储容量512KB（512K x 8）
  • 程序存储器类型闪存
  • EEPROM 容量4K x 8
  • RAM 容量32K x 8
  • 电压 - 电源（Vcc/Vdd）2.35V ~ 5.5V
  • 数据转换器A/D 8x10b，16x10b
  • 振荡器类型外部
  • 工作温度-40°C ~ 105°C（TA）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳144-LQFP
  • 供应商器件封装144-LQFP（20x20）

其它信息

一级代理商，大小批量出货，欢迎来询

NXP恩智浦的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户

深圳市瑞博齐创科技有限公司

国内从事NXP恩智浦产品的销售，大小批量出货

7X24小时询价热线

0755-83590458

粤ICP备2022016905号 技术支持：

我们一直持续专注
现货极具优势
无起订量限制
芯速度 芯未来
0755-83590458
13631560186
QQ询价
微信询价
真芯，细芯，更贴芯