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S9S12GA192F0CLL相关型号

  • MRF6VP3091NBR5

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W

  • MMRF1315NR1

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  • MMRF1308HR5

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1308H/CFM4F///REEL 13

  • MRF6V12500HSR5

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780HS

  • MRF6V2010GNR1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2GN

NXP热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • S9S12GA192F0CLL

  • 制造商：NXP USA Inc.
  • 批号：19+
  • 描述：IC MCU 16BIT 192KB FLASH 100LQFP
  • PDF下载：
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装托盘
  • 系列HCS12
  • 零件状态有源
  • 核心处理器12V1
  • 核心尺寸16 位
  • 速度25MHz
  • 连接性CANbus，IrDA，LINbus，SCI，SPI
  • 外设LVD，POR，PWM，WDT
  • I/O 数86
  • 程序存储容量192KB（192K x 8）
  • 程序存储器类型闪存
  • EEPROM 容量4K x 8
  • RAM 容量11K x 8
  • 电压 - 电源（Vcc/Vdd）3.13V ~ 5.5V
  • 数据转换器A/D 16x12b; D/A 2x8b
  • 振荡器类型内部
  • 工作温度-40°C ~ 85°C（TA）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳100-LQFP
  • 供应商器件封装100-LQFP（14x14）

其它信息

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