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P1010NXN5HHB相关型号
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    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 2450 MHz 25 W CW 28 V

  • MMRF1011HR5

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  • MRF8P29300HSR6

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  • MRF8P20165WHR3

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  • MMRF1020-04GNR3

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  • MMRF2010NR1

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  • MMRF1009HR5

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V

NXP热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • P1010NXN5HHB

  • 制造商:NXP USA Inc.
  • 批号:19+
  • 描述:IC MPU Q OR IQ 1.0GHZ 425TEBGA
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

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详细参数

  • 包装托盘
  • 系列QorIQ P1
  • 零件状态有源
  • 核心处理器PowerPC e500v2
  • 核数/总线宽度1 코어,32 位
  • 速度1.0GHz
  • 协处理器/DSP-
  • RAM 控制器DDR3,DDR3L
  • 图形加速
  • 显示与接口控制器-
  • 以太网10/100/1000Mbps(3)
  • SATASATA 3Gbps(2)
  • USBUSB 2.0 + PHY(1)
  • 电压 - I/O-
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安全特性-
  • 封装/外壳425-FBGA
  • 供应商器件封装425-TEPBGA I(19x19)

其它信息

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